MOCVD生长AlGaInP/InGaAsP大功率808nm无铝量子阱激光器

摘要：

设计制作了非对称宽波导结构的无铝量子阱激光器,降低了内部损耗,实现了低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积(MOCVD)进行外延生长,制作了100μm条宽,1500μm腔长的808nm激光器器件,镀膜后阈值电流230.5mA,斜率效率1.31W/A。连续电流条件下,得到最大输出功率超过8W,并且计算得到内吸收系数为1.7cm-1。

关键词： 量子阱激光器 非对称结构 金属有机物 化学气相外延 宽波导结构 阈值电流 外延生长

作者: 李沛旭 夏伟 李树强 张新 汤庆敏 任忠祥 徐现刚

作者单位: 山东大学晶体材料重点实验室 济南 250100 山东华光光电子有限公司 济南 250101 山东华光光电子有限公司 济南 250101

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 354-356

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）