大直径InP单晶生长研究

摘要：

本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个重要因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为100-142mm的大直径磷化铟单晶。本文讨论了关于避免孪晶产生的关键技术。

关键词： 磷化铟 液封直拉 单晶生长 热场系统 孪晶

作者: 孙聂枫 杨瑞霞 周晓龙 孙同年

作者单位: 专用集成电路国家重点实验室 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051 河北工业大学,信息工程学院,天津 050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 362-365

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）