紫外光激发的砷化镓表面氧化反应研究
本文用X射线光电子能谱仪(XPS)系统研究了紫外光(UV/Ozone)激发下砷化镓(GaAs)表面的氧化反应。分析了表面氧化层的组成,氧化层的厚度及其随时间的变化情况。利用大量的实验数据,探讨紫外光激发下砷化镓的表面氧化反应机理以及动力学历程。结果表明,紫外光激发的氧化反应不同于热氧化反应,反应主要生成Ga2O3和As2O3可以而且二者比例几乎相等,氧化过程可以分为两个不同阶段,初始阶段为线形生长,随后变为抛物线生长。
表面氧化 紫外光激发 砷化镓 氧化反应机理
任殿胜 吴怡 荆学建
北京通美晶体技术有限公司,北京 101113
国内会议
广州
中文
366-369
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）