基于IGCT的高压三电平变频器失效机理及保护策略

摘要：

本文在分析了三电平变频器拓扑结构特点和IGCT结构特性的基础上,讨论了基于IGCT的高压三电平变频器失效机理及保护策略,提出了针对IGCCT的全保护概念。对其安全运行区域进行了详尽的分析,结合实例给出定量的安全区域设计原则和相应的保护措施。

关键词： 高压变频器 三电平变频器 拓扑结构 IGCT 失效机理 安全区域设计

作者: 赵争鸣 张海涛 袁立强 白华 杨志

作者单位: 清华大学电机系电力系统国家重点实验室 北京 100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届电工技术前沿问题学术论坛

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 35-39

在线出版日期: 2005-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）