超高速半导体开关RSD的开通机理与大电流特性研究

摘要：

基于反向注入控制RSD的大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点,新开通机制的RSD将在脉冲功率技术中获得重要应用。本文研究了RSD的开通机理和开通条件,为器件开通特性的改进和预充电路的合理设计提供了依据；实验还表明,由小直径RSD的极限电流测试结果,可以用经验公式得到同类结构的任意通流面积RSD脉冲大电流耐量。

关键词： 超高速半导体开关 开通机理 大电流特性

作者: 余岳辉 梁琳 李谋涛 刘玉华 刘璐

作者单位: 华中科技大学 武汉 430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会2004年(第一届)电工技术前沿问题学术论坛

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 143-147

在线出版日期: 2004-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）