晶圆表面奈米微粒標準片之研製
在半导体制程中，晶圆表面加工程序前後之品质对於往後成品的良率有直接影响，就晶圆表面纳米微粒检测技术而言，纳米微粒之粒径大小与粒径分布已是半导体业重要量测参数之一。由於电迁移率分析仪可用以连续分馏出微小粒径范围之纳米微粒，且具有高准确度与高解析度等特性，因此，本研究以电迁移率分析仪进行纳米微粒之筛选与分馏，并将特定尺寸之纳米微粒布植於晶圆表面。此技术已成功布植100nm之晶圆表面纳米微粒标准片，将可应用於半导体业，主要用以校正晶圆表面纳米微粒检测仪器。为进一步验证此技术之可行性，本研究同时以偏振散射光量测仪、原子力显微镜、扫描式电子显微镜、以及穿透式电子显微镜等，针对此晶圆表面纳米微粒之粒径进行量测。
晶圆表面 纳米微粒 电迁移率 偏振散射光量测仪 原子力显微镜
林志明 傅尉恩
工業技術研究院量測技術發展中心
国内会议
杭州
中文
115-121
2008-09-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）