P型单晶硅片在KOH溶液中腐蚀行为的电化学研究

摘要：

采用电化学极化测量技术研究了p(100)和p(111)硅片在碱性KOH溶液中的腐蚀行为,考察了KOH溶液浓度、温度和硅片表面缝隙等因素对腐蚀行为的影响.结果表明:在室温下当KOH浓度为5～6 mol/L时硅片腐蚀速率最大；随着KOH腐蚀液温度增加,腐蚀速率增大,在50℃左右腐蚀速率增加显著；硅片表面缝隙会加剧硅的局部腐蚀,在同等实验条件下缝隙腐蚀速率比均匀腐蚀快一个数量级.

关键词： P型单晶硅片 碱性KOH溶液 腐蚀行为 电化学极化 缝隙腐蚀

作者: 宋晓岚 张晓伟 徐大余 喻振兴 邱冠周

作者单位: 中南大学,资源加工与生物工程学院,长沙410083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届中国国际纳米科技(武汉)研讨会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 126-131

在线出版日期: 2008-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）