环境气体对激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响
采用脉冲激光烧蚀装置,在不同环境气体下,沉积制备了含有纳米Si晶粒的薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)观察样品的表面形貌,并对晶粒尺寸进行统计分析,发现不同环境气体下,纳米Si晶粒平均尺寸均随衬底与靶的距离增加有着先增大后减小的规律;通过分析比较,同等条件下Ne气环境下制备的纳米Si晶粒平均尺寸最小.
脉冲激光烧蚀 纳米Si晶粒薄膜 晶粒尺寸 环境气体
王英龙 张恒生 褚立志 丁学成 傅广生
河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002
国内会议
武汉
中文
247-250
2008-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)