氢化非晶硅薄膜的磁控溅射制备及性能研究

摘要：

采用直流磁控溅射方法制备氢化非晶硅(a-Si：H)薄膜.用X射线衍射(XRD)、NKD7000W薄膜分析仪、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、紫外-可见光透射光谱仪(UV-VIS)测试了薄膜的物相结构、膜厚、硅氢键和透过率,研究了溅射功率、基片温度和氢气分压对薄膜结构和性能的影响.结果表明,直流磁控溅射沉积薄膜工艺能够迅速地沉积氢化非晶态硅薄膜；氢气的引入能够使氢顺利进入生长的膜层,并且生成单氢键合和多氢键合；a-Si：H薄膜有良好的可见光透过率.

关键词： 氢化非晶硅薄膜 制备工艺 直流磁控溅射 沉积速率 可见光透过率

作者: 潘震 赵青南 刘本锋 赵修建

作者单位: 武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉 430070

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国硅酸盐学会特种玻璃分会第四届全国特种玻璃会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 128-130

在线出版日期: 2008-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）