Dy3+离子掺杂的Ge-Ga-Se—CsI玻璃光谱性质研究
采用熔融-急冷法熔制了一系列Dy3+掺杂的(1-x)Ge0.25Ga0.1Se0.65+xCsI(x=0,5,9.1,15 mol％)硫卤玻璃,测试了其密度、折射率、吸收光谱及荧光光谱.应用Judd-Ofelt理论计算了Dy3+离子的强度参量Ωt(t=2,4,6),并与其他硫系(硫卤)玻璃进行了比较.研究发现,CsI的引入明显地改变了Ge0.25Ga0.1Se0.65玻璃的Judd-Ofelt强度参量Ωt和荧光特性。当CsI与Ga含量相当时,出现最强的1.3 μm荧光(Dy3+:6F11/2(6H9/2)→6H15/2),当Dy3+离子浓度为358 ppm时,荧光半高宽达到了99 nm,其荧光中心在1331 nm.结果表明,Dy3+离子掺杂的Ge-Ga—Se-CsI玻璃可作为1.3μm光纤放大器的潜在基质材料.
硫卤玻璃 熔融-急冷法 Dy3+掺杂 光谱性能 荧光特性
黄健 徐铁峰 戴世勋 聂秋华 沈祥 王训四
宁波大学信息科学与工程学院,浙江宁波 315211
国内会议
西安
中文
26-29
2008-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）