GaInP/(In)GaAs/Ge三结叠层太阳电池光电流的改进

摘要：

本文针对所研制GaInP/(In)GaAs/Ge三结叠层太阳电池光电流较低的问题，分别对底电池、中电池和顶电池进行了理论分析与设计。Ge底电池窗口层设计的改进、(In)GaAs中电池适合含量In的引入、GaInP顶电池n/p结构设计改进，以及宽禁带隧穿结材料的选用，显著提高电池短路电流密度Jsc，达到16.5～17.5mA/cm2，GaInP/(In)GaAs/Ge三结叠层太阳电池光电转换效率由此达到27.3％(AM0，25℃)。

关键词： 三结太阳电池 光电流 窗口层设计 结构设计 电流密度 光电转换 转换效率

作者: 涂洁磊 张忠卫 王亮兴 池卫英 陈超奇 陈鸣波 万斌 曾隆月

作者单位: 上海空间电源研究所;云南师范大学太阳能研究所 上海苍梧路388号;上海空间电源研究所,200233 上海空间电源研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国宇航学会首届学术年会

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 343-348

在线出版日期: 2005-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）