SiGe-半导体材料的新生力量

摘要：

SiGe材料就是在Si中引入适量的Ge形成SiGe合金。用SiGe合金作晶体管的基区，由于Ge的引入，使基区能带变窄，从而大大提高了发射区电子的注入效率。本文分别探讨了SiGe的优势、制备技术、材料技术的发展趋势及器件、电路发展趋势。

关键词： SiGe材料 半导体材料 晶体管基区 电子注入效率

作者: 张静

作者单位: 模拟集成电路国家重点实验室,中电集团第24研究所 重庆市南坪花园路14号,400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届高新技术用石英制品及相关材料技术与市场研讨会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 45-48

在线出版日期: 2005-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）