会议专题

RMI法制备C/C-SiC复合材料的研究进展

简要介绍了C/C-SiC复合材料的制备方法,主要论述了熔融渗硅法(RMI)制备C/C-SiC复合材料的研究进展及未来的发展趋势,并分析了C/C多孔体熔融渗硅的机理;指出了目前研究中以碳纤维针刺整体毡为预制体制备C/C-SiC材料成本仍然较高,不利于工业化生产的推广,认为采用温压/炭化法制备预制体,采用RMI法制备C/C-SiC复合材料成本大大降低,是一种极具工业竞争力的制备方法。

熔融渗硅法 碳碳材料 SiC复合材料 预制体 成本分析

韩团辉 肖鹏 熊翔

中南大学粉末冶金国家重点实验室,湖南长沙,410083

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2009全国青年摩擦学学术会议

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2009-05-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)