用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型

摘要：

分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻，提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式，改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式.对一个LDMOS的例子做了计算，并将其与相同参数情况下用MBDICI软件模拟的结果作了对比.结果表明两者相差仅有5％，这说明所得公式可用于该类型LDMOS的分析和设计.

关键词： 阱区 双扩散MOS晶体管 导通电阻 解析模型

作者: 孟坚 高珊 陈军宁 柯导明 孙伟锋 时龙兴 徐超

作者单位: 安徽大学电子科学与技术学院,合肥 230039 东南大学国家ASIC工程中心,南京 210096

会议类型: 国内会议

会议名称: 2005年“数字安徽”博士科技论坛

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 273-282

在线出版日期: 2005-12-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）