如何运用建中L42812-1/ZM型平板单室PECVD淀积生长速率低于100(A)/min的致密SiO2膜层

摘要：

本文主要通过对PECVD淀积SiO2膜的工艺原理和各工艺参数对长膜速率、致密性的影响的分析,并通过具体的工艺试验,最终得出了运用建中L42812-1/ZM型平板单室PECVD淀积生长速率低于100A/min的致密SiO2膜层的最佳工艺条件.

关键词： 二氧化硅膜层 等离子增强化学气相淀积 湿氧退火 淀积速率

作者: 杨彦伟

作者单位: 深圳飞通光电股份有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 深圳市科协2005年年会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 60-64

在线出版日期: 2005-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）