GaN基HEMT栅终端场板击穿特性研究
本文利用二维仿真研究了不同栅终端场板结构下的AlGaN/GaNHEMTs沟道电场的分布情况。仿真基于漂移扩散模型，考虑了迁移率的高场饱和效应，忽略了自热效应与热载流子效应。分析表明，在栅场板长度和栅漏间距一定的情况下，绝缘层厚度过大或者过小都会使击穿电压大幅减小；在绝缘层厚度和栅漏间距一定的情况下，栅场板长度超过某个值后，击穿电压不会再提高；在绝缘层厚度和栅场板长度一定的情况下，栅漏间距超过某个值后，击穿电压也不会再提高。仿真显示，当场扳长度为2.85μm，绝缘层厚度为0.6μm，栅漏间距为4.10μm时，击穿电压达到644V，与没加场板时的44V相比，击穿电压提高了14倍多。
氮化镓 高电子迁移率 晶体管 击穿电压 击穿特性 扩散模型 沟道电场
葛桐山 蔡冬 冯朝坤
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都 610054
国内会议
成都
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2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）