I层厚度对SOI RF LDMOS参数影响的分析

摘要：

基于SOI优良的抗辐射性能，所以SOI RF LDMOS器件广泛应用于高可靠性的射频系统。本文对不同的I层厚度对SOI RF LDMOS的输入电容、跨导和截止频率等参数的影响进行了分析，分析结果表明：随着I层厚度的增加，输入电容下降，跨导基本不变，截止频率上升。

关键词： 输入电容 截止频率 抗辐射性能 射频系统 绝缘硅

作者: 方伟 吴丽娟 李泽宏

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054;无锡华润华晶微电子有限公司 无锡 214061

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 5-8

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）