PDP驱动电路中高压SOI PLDMOS设计

摘要：

提出一种用于PDP(Plasma Display Panel)驱动电路的SOI高压P型LDMOS器件结构，分析了其特有的背栅效应，以及漂移区浓度，漂移区长度、栅极板长度等参数对器件击穿电压的影响。所设计的器件结构已成功用于一种64位，80V，40Mhz的PDP寻址驱动芯片。

关键词： 等离子显示板 驱动电路 背栅效应 击穿电压 器件结构 驱动芯片

作者: 杨帆 乔明 杨旭 张萌

作者单位: 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 9-11

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）