基于动态浮栅技术的输入端ESD保护

摘要：

根据全芯片静电放电(ESD)损伤防护理论，设计了一种基于动态浮栅技术的ESD保护结构。在MEDICI混合仿真中加入0.35 μm的CMOS工艺库，仿真结果表明此动态浮栅结构的抗HBM能力大于8KV。

关键词： 动态浮栅 全芯片静电放电 放电损伤 损伤防护

作者: 李建国 刘娟 樊航 蒋芩利

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 12-15

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）