单晶型700V高压LDMOS优化设计

摘要：

本文对单晶型700V高压LDMOS进行了优化设计。通过分析影响击穿电压的各种因素，以BCD工艺为基础，借助二维数据模拟软件MEDICI对具有Double-REsURF和场板结构的LDMOS进行模拟优化设计，得到了击穿电压高于700V、导通电阻为290kΩ/μm、开启电压为0.8V的优化值。根据模拟所得到优化值下的典型浓度值得到了实际样品，并对模拟与实测的击穿、转移和输出特性做了对比，实验模拟特性与实际样品测试特性相差很小。

关键词： 击穿电压 数据模拟 场板结构 优化设计 输出特性

作者: 段双亮 乔明 蒋苓利 赵磊 陈波 李珂 王明石 刘清涛

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 16-19

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）