高分辨X射线衍射测定GaN外延膜的晶格常数

摘要：

用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)方法在蓝宝石(A1203)衬底上生长GaN外延膜，用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析该外延膜的晶格常数，探讨GaN自缓冲层的引入实现较高质量的GaN外延膜的基本结构特性。

关键词： 高分辨X射线衍射 异质外延 外延膜 晶格常数 有机化学气相外延 氮化镓

作者: 姬洪 李言荣 李超 左长明

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室,成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 20-22

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）