铁电薄膜PZT干法刻蚀的研究
本文对铁电薄膜干法刻蚀的方法进行了研究。首先在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上溅射PZT薄膜，在650℃下退火得到(111)晶向的薄膜结构。研究了采用SF6/Ar2工艺气体刻蚀PZT的效果：主要分析了RIE的功率、Ar2百分比和腔体压力对刻蚀速率的影响.得到最大刻蚀速率为800 A/min。最后对干法刻蚀的铁电电容进行了测试，得到剩余极化强度Pr为40μC/cm2，矫顽电场Ec为50kV/cm，漏电流为5E-7A，为铁电存储器的实现提供了良好的工艺基础。
干法刻蚀 铁电薄膜 薄膜结构 腔体压力 刻蚀速率
张健 翟亚红 李平 张树人 杨成韬
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054
国内会议
成都
中文
40-42
2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）