一种槽栅MOS控制的晶闸管

摘要：

本文提出一种槽栅MOS控制的TMCT品闸管。该器件为六层结构，包括品闸管部分、PNP品体管部分和槽栅控制部分。借助仿真软件MEDICI分析该器件的电流分布和i-v特性，并与EST器件和IGBT器件对比；结果表明TMCT能具有更小的元胞、更均匀的电流分布和更大的电流饱和能力。理论分析表明该器件同时具有较高的击穿电压，更大的安全工作区。

关键词： 晶闸管 电流饱和 槽栅控制 电流分布 击穿电压

作者: 马荣耀 钱梦亮 李泽宏

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都 610054 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都 610054;无锡华润华晶微电子有限公司 无锡 214061

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 43-46

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）