一种基于SOI的高速槽栅LIGBT器件

摘要：

本文提出了一种SOI基于槽栅LIGBT结构，它的栅电极没有位于阳极与阴极之间。基于此创新，发现新结构器件比旧结构器件展现出了巨大的优势。通过降低阴极n+区域下方空穴电流，新埋栅LJGBT有宽安全工作区和短的关断时间。除此，新结构器件的栅氧在阳极加很小电压时便处于耗尽区内，能够防止热电子注入到栅氧内，进而增加器件的稳定性。

关键词： 安全工作区 耗尽层 热载流子 栅电极 空穴电流 横向绝缘栅双极晶体管

作者: 罗波 乔明 王猛 赵远远 郑小明 曹奎 王璐

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054 电子科技大学微电子与固体电子学院 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 47-50

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）