一种带有场板结构的高压SOI LDMOS特性研究

摘要：

本文分析研究了一种带有场板结构的高压SOI LDMOS器件的设计及特性。器件采用了厚的LOCOS结构和线性变掺杂的漂移区以获得均匀的电场分布和高的耐压值。器件的击穿电压与项层硅层的厚度有很大关系，越薄的硅层可以实现越高的耐压。线性变掺杂的起始浓度与浓度梯度也会对器件耐压造成影响。栅场板的引入会有效降低器件的导通电阻，但也会引入一个电场尖峰，使得电流随着电压的升高出现跳变。源场板的引入可以消除电流跳变的现象。

关键词： 线性掺杂 场板结构 漂移区 导通电阻 电流跳变 器件设计

作者: 董骁 乔明 罗波 曹奎

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 51-54

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）