一种单晶型100V LDMOS设计

摘要：

本文设计了单晶型100V LDMOS，其具有导通屯阻低和耐压高的优点。文中利用RESURF技术和场板技术优化其关态特性和开态特性；在工艺设计中，采用与低压器件兼容的BCD工艺，完成了工艺参数的优化；最后设计器件的版图并进行流片。芯片的实测结果为：反向击穿电压98V，比导通电阻0.5Ω·mm2。

关键词： 导通电阻 场板技术 开态特性 关态特性 击穿电压

作者: 赵磊 乔明 蒋苓利 向凡 郑小明

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 55-58

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）