一种基于新的双多晶BCD工艺的VDMOS集成优化
本文提出了一种新的双多晶工艺。通过分析VDMOS导通电阻和击穿电压，找出影响器件静态特性的关键参数：栅长。针对该参量的模拟，寻找一种集成于9μm外延厚度BCD工艺的优化设计方法。得到了耐压90V，比导通电阻为194.4mΩ·cm2的优化器件，并将该模型应用到自主研发的70V BCD工艺中去，得到了良好的验证。
栅长优化 双多晶工艺 导通电阻 击穿电压 静态特性 优化设计 外延厚度
王凯 方健 毛焜 张弦 刘哲 尹德扬 张正元 冯志诚 张波
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054 中国电子科技集团公司第二十四研究所 重庆 400060
国内会议
成都
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59-62
2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）