一种全恒温区双极晶体管的研制

摘要：

发射区重掺杂引起的禁带变窄效应使常规硅双极晶体管HFE具有较高正温度系数，为了获得电流增益HFE具有低温度系数的双极型晶体管，结合发射区轻掺杂技术，采用多品硅作部分发射极结构，设计一种全恒温区双极晶体管，试验结果表明，该器件的正、负温度系数分别为20％和35％。

关键词： 双极晶体管 温度系数 多晶硅 发射极

作者: 李洵 李泽宏 吕沛

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 66-68

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）