一种体二极管优化的VDMOS新结构

摘要：

提出了一种体二极管优化的VDMOS新结构。该新结构在传统VDMOS结构的基础上，于P型基区下方并紧靠P型基区处引入一个N+层。仿真结果表明，在相同的元胞尺寸下，该结构的导通电阻、反向恢复时间和反向恢复电流都比常规VDMOS结构的小。

关键词： 导通电阻 反向恢复 体二极管 恢复时间 恢复电流

作者: 吴博 李泽宏 钱梦亮 连延杰

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054;无锡华润华晶微电子有限公司 无锡 214061

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 69-71

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）