一种用于SPIC的高压BCD工艺技术

摘要：

开发700V高压BCD(BJT/CMOS/DMOS)工艺技术。该工艺在CMOS工艺基础上主要增加As埋层注入、p_top降场层注入以及Pbase注入等工艺步骤，可实现高压DMOS、低压BJT、低压CMOS器件的单片集成。应用此工艺可研制出一种BCD单片集成的高压智能功率开关芯片，其中DMOS耐压为700V，低压器件满足一般电路要求。结果表明该BCD工艺适合高压SPIC研制开发。

关键词： 高压集成 埋层注入 单片集成 功率开关 开关芯片

作者: 任良彦 王宇

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 76-79

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）