基于CMOS工艺的采样开关模型与电路研究

摘要：

本文基于超深亚微米CMOS工艺条件下对采样开关进行建模分析，针对影响采样保持电路精度和速度的最重要的三个非理想冈素导通电阻的非线性化。电荷注入效应，时钟馈通效应进行建模分析，并寻求合适的解决办法。最后根据对采样开关的建模分析，本文完成了一种岛线性度的采样开关电路的设计和仿真，并对仿真的结果进行了DFT分析，根据分析的结果可知该采样开关电路的SFDR为72dB，采样精度达到10位。

关键词： 采样开关 导通电阻 电荷注入 时钟馈通 开关模型 电路精度 采样精度

作者: 冯朝坤 顾川 葛桐山 于奇

作者单位: 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 134-138

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）