一种CMOS自偏置带隙基准源的设计

摘要：

本文提出一种新型自偏置基准源的设计方法，该基准源是在传统自偏置基准电压源设计的基础上作出了一些改进，提高了所得到的基准源的温度特性，比传统的自偏置基准源的温度特性高出30％左右。

关键词： 自偏置基准源 基准电压源 电流镜 温度特性

作者: 郜笠旭 雷锐

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 168-171

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）