一种高精度带隙基准的设计

摘要：

本文首先对CMOS带隙基准源的基本原理进行了分析，并针对三极管中VBE电流随温度变化的二阶非线性效应提出了一种对PTAT电流进行补偿的方法。在SMICO.35μmCMOS工艺库的基础上实现了一个高精度的带隙基准源。仿真结果表明，在-40~140℃的温度系数为8.5ppm/℃，低频电源抑制比为-58dB。

关键词： 非线性效应 电流补偿 温度系数 带隙基准源

作者: 王红培 沈科

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 189-192

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）