一种高压运算放大器的设计

摘要：

本文设计了一款双高压单片集成MOSFET运算放大器，它适用于静电传感器和静电偏移应用。由于每个放大器所提供的额定电压为350V，输出电流为60mA，对高压压电驱动电路来说该高压运放也是极好的低功耗选择。MOSFET输出使该高压运放避免了二次击穿限制，其功耗维持在最小值，每个放大器静态额定电流只有2mA.该运放用陶瓷封装，有18个管脚，对每个放大器有极好的补偿。

关键词： 电路保护 运算放大器 单片集成 静电传感器 静电偏移 驱动电路

作者: 李学会 王继安 张波 汪强 李威

作者单位: 电子科技大学电子薄膜和集成器件国家重点实验室 成都 610054 成都华微电子系统有限公司,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 197-200

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）