一种基于标准CMOS工艺的基准电流源设计

摘要：

提出了一种利用分支电流的正、负温度系数(TC)进行温度补偿的新型设计方法，并用标准CMOS工艺实现了一个电流基准源。整个电路采用0.8μm标准CMOS工艺，利用HSPICE仿真分析表明该电路在-40～85℃范围内电源抑制比为-105dB(1MHz)，且在工艺变化(容差分析)时基准电流变化不超过2.7％。

关键词： 温度系数 电流基准源 容差分析 分支电流 温度补偿

作者: 刘涛 张国俊 吴贵能

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054 重庆邮电大学 光电工程学院 重庆 400065

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 219-222

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）