一种具有0.2V输出的CMOS带隙电压基准源

摘要：

本文提出了一种与P阱CMOS工艺相兼容的无低阈值器件的带隙电压基准源(BGR)。采用Vthn0≈1.3VCMOS工艺，HSPICE从-40℃到120℃仿真，温度系数为3.7PPM/℃。

关键词： 带隙电压基准源 低输出电压 温度特性 启动电路 温度系数

作者: 谢毅 吴惠明 李航标 高丽

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 226-229

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）