一种与基准配套的稳定的振荡器的设计

摘要：

本文设计了一种与基准配套的对温度、电源电压、MOS工艺的变化敏感度都很小的振荡器。通过采用正温电阻得到一个经过一阶温度补偿的振荡器电容充电电流，同时通过设计振荡器的高低翻转阈值精确等于基准电压VREF，独立于MOS工艺变化，从而实现高温度补偿，对电源电压以及MOS工艺变化不敏感的高性能稳定振荡器。振荡器工作频率100kHz，占空比设计为64％，通过HSPICE仿真验证其稳定性并采用58所3um高压工艺实现。

关键词： 基准配套 温度补偿 翻转阈值 振荡器 基准电压

作者: 谢飞

作者单位: 电子科技大学 电子薄模与集成器件国家重点实验室 四川成都 中国 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 282-286

在线出版日期: 2008-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）