高质量的干净极限与脏极限MgB2超导薄膜

利用混合物理化学气相沉积法,在0001取向的SiC和A12O3上原位制备了高质量的c轴外延MgB2薄膜,样品具有高于41K的零转变温度,超导剩余电阻率p(42K)<0.5 μΩcm,很好地吻合第一原理计算的干净极限行为。X射线相分析图谱上没有MgO的衍射峰出现说明这种方法极大程度上避免了MgB2制各过程最易出现的“氧污染”。较高的磁电阻和低温低场条件下不存在磁通跳跃都说明了样品非常干净。借助一种改进的双加热丝装置,在干净MgB2样品基础上实现了可控的碳掺杂,掺碳后的样品超导临界温度下降,剩余电阻率升高,电子平均自由程由于杂质散射作用的增强而得到显著抑制,为符合脏极限的超导样品。
干净极限 碳掺杂 超导薄膜 脏极限 化学气相沉积
庄承钢 孟胜 张从尧 杨欢 贾颖 闻海虎 郗小星 冯庆荣 甘子钊
北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京 100871;美国宾州州立大学物理系与材料科学与工程系,宾夕法尼亚州16802,美国 北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京 100871 中科院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室超导国家重点实验室,北京 100080 美国宾州州立大学物理系与材料科学与工程系,宾夕法尼亚州16802,美国
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2007-12-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)