MgB2掺杂SiC的相变过程
用自蔓延法(SHS)在锥形模具内成功淬熄(CFQ)MgB2掺杂8％SiC的反应.对不同温度区域试样的XRD、SEM、EDS进行分析。结果表明：在527～650℃时Mg和B颗粒接触以扩散方式在表面发生了固一固反应，Mg的表层初次形成MgB2，在650～700℃时，包裹在初次生成的MgB2内部未反应的Mg将熔化，液态Mg的活性大大提高，以扩散、渗透的方式通过初次生成的Mga2层与B原子发生液一固反应，MgB2相界面不断地向B原子方向推进，直到完全形成MgB2：700～750℃时掺杂的SiC大部分与MgB2反应生成Mg2Si，同时有一部分C原子进入到MgB2取代了B原子，并有少量MgB2分解形成Mga4和Mg。在形核结晶过程中由于反应时间短，温度梯度大，部分Mg来不及扩散就重新结晶。
掺杂 自蔓延法 淬熄实验 相变过程
冯旺军 何祖明 夏咏梅 张爽 成金娟
甘肃省有色金属新材料国家重点实验室,甘肃兰州730050;兰州理工大学理学院,甘肃兰州 730050
国内会议
西安
中文
75-78
2007-12-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）