Ce1-zSmzO2-y缓冲层的化学溶液法制备

摘要：

采用化学溶液法在Niw(200)基带上进行了Ce1-xSmxO2-y(x=0,0.2，1)缓冲层的制备及生长机理研究。结果表明，化学溶液法可以成功制备出双轴织构的Ce1-xSmxO2-y缓冲层：在x=0和x=0.2的情况下，所制备的缓冲层有裂纹产生；但是随着x的增加，开裂现象被逐步抑制。对x=1的sm2O3缓冲层而言，当厚度增加到120 nm时依然没有产生裂纹，表明Sm2O3缓冲层可以作为单一缓冲层而得以使用。

关键词： 涂层导体 缓冲层 化学溶液法 双轴织构

作者: 雷和畅 朱雪斌 宋文海 孙玉平

作者单位: 中国科学院固体物理研究所,安徽合肥 230031

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国超导学术研讨会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 111-114

在线出版日期: 2007-12-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）