Ka-C波段下变频组件研制

摘要：

本文利用GaAS MMIC芯片，采用混合集成工艺设计了Ka-C下变频器组件。该模块在29.4～30.2GHz频率范围内，噪声系数为3.8dB,增益为69dB.该组件具有良好的带外抑制特性，双音交调抑制度高等特点。

关键词： 变频器 杂波抑制 带外抑制 混合集成工艺 Ka-C波段

作者: 周松 王玲 唐小宏

作者单位: 电子科技大学,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国毫米波亚毫米波学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 141-144

在线出版日期: 2008-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）