低损耗分布式射频MEMS移相器的设计与ANN分析
为满足移相器低损耗的要求，分析了基于RF MEMS开关毫米波段移相器的工作原理，提出了采用锯齿形结构共面波导以抵消MEMS金属桥引入的反射损耗的方法，并提出一种新的移相器模型。在此基础上，利用CST软件对所设计的MEMS移相器的网络特性进行了仿真与分析，结果表明，本文提出的模型具有在2GHz工作带宽内反射损耗小于-10dB，插入损耗在2GHz内大于-2dB，单桥相移量达到22.5度，与传统MEMS移相器相比，反射损耗减小8dB。在此基础上，采用ANN方法进行分析，提高了设计的效率。
移相器 反射损耗 结构设计 仿真分析
唐恺 傅佳辉 吴群 杨国辉 贺训军
哈尔滨工业大学电子与信息技术研究院 哈尔滨 150001
国内会议
太原
中文
183-186
2008-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）