P阱硅栅CMOS倒相器输出电路版图设计

摘要：

从集成电路制造工艺的角度，研究了P阱硅栅CMOS倒相器电路及其结构，以及在版图设计和工艺制造中的优化措施。 推导了CMCE；晶体管的沟道宽长比的简便计算方法，设计了一种与标准CMOS工艺兼容的倒相器输出电路，采用hhnec0.25(mCMOS工艺实现。

关键词： 集成电路 版图设计 工艺制造 输出电路 倒相器 电路设计

作者: 杨虹 王杰敏 吕坤颐 侯华敏

作者单位: 重庆邮电大学 光电工程学院,重庆 400065;电子科技大学微电子学与固体电子学院、成都 610054 重庆邮电大学 光电工程学院,重庆 400065 汤姆逊(北京)集成电路研发中心,北京,100076

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国青年通信学术会议

会议地点: 山东烟台

会议语种:中文

页码: 724-726

在线出版日期: 2008-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）