缓冲层对多量子阱材料GaAs/Ga1-zAlzAs共振态的影响

摘要：

从理论上研究缓冲层的厚度和特性对多量子阱材料(GaAs/Ga1-xAlxAs)中的共振态的影响,利用界面响应理论的格林函数方法,计算了局域和总电子态密度以及电子对结的穿透率,展示了缓冲层特性对态密度特征峰、穿透率的影响.结果表明,缓冲层具有控制共振隧穿电子和影响系统电子态的作用.

关键词： 缓冲层 共振态 态密度 量子阱 格林函数 隧穿电子

作者: 杨晓峰

作者单位: 华北工学院理学系,山西,太原,030051

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国微米/纳米第六届学术年会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 8-10

在线出版日期: 2003-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）