硅压阻式传感器的温度特性及其补偿

摘要：

基于硅压阻式传感器的工艺过程与后续电路设计,讨论了减小其温度影响的措施.文中对在相同的硅基底上,采用诸如扩散、离子注入、薄膜淀积以及溅射等不同加工工艺制作实现的不同的压敏电阻特性,特别是温度特性进行了探讨和比较.针对一种具体的硅杯结构的压阻式传感器,设计、选择了加工工艺,给出了压敏电阻的近似温度补偿公式,讨论了传感器补偿电路的实现方案.

关键词： 压阻式传感器 硅传感器 温度补偿 电路设计 温度特性 压敏电阻

作者: 樊尚春 彭春荣

作者单位: 北京航空航天大学自动化学院,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国微米/纳米第六届学术年会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 484-488

在线出版日期: 2003-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）