共振隧穿二极管基础电路的模拟与分析

摘要：

简单介绍了RTD的器件特性和器件模型,用HSPICE模拟出RTD与电阻、MOS晶体管、RTD本身结合的电路特性.通过对不同电路参数I-V特性的模拟和分析,为理解RTD器件机理和构造复杂电路提供了初步的基础.

关键词： 共振隧穿二极管 基础电路 电路模拟 电路分析 器件特性 器件模型 电路特性

作者: 程玥 许军

作者单位: 清华大学微电子学研究所,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国微米/纳米第六届学术年会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 579-582

在线出版日期: 2003-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）