串联MEMS开关的瞬态电磁场分析

摘要：

提出了一种串联MEMS开关的电磁耦合模型,并且应用该模型,对采用表面硅工艺和体硅工艺制作的MEMS开关,采用全波分析方法,进行了瞬态电磁场分析.由于开关尺寸为微米量级,而驱动电压高达40～60V,这样的瞬态高压有可能对开关上的信号产生影响.理论仿真结果显示,开关驱动路对信号路有很强的耦合场存在.实验结果同样显示,耦合到信号路的信号可以输入信号产生最大值为60％的失真.

关键词： 微机电系统 耦合模型 全波分析法 串联开关 电磁耦合 表面硅工艺 体硅工艺

作者: 顾洪明 吕苗 单福琪 高葆新 梁春广

作者单位: 清华大学电子工程系,北京,100084 河北半导体研究所,河北,石家庄,050002

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国微米/纳米第六届学术年会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 84-86

在线出版日期: 2003-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）