用于硅衬底隔离的选择性多孔硅厚膜的制备

摘要：

在硅衬底上形成高阻隔离层对于提高硅基射频电路的性能具有重要意义.采用多孔硅厚膜作为隔离层,能够极大地降低衬底高频损耗.本文对n+型硅衬底上选择性多孔硅厚膜的制备进行了研究.通过在阳极氧化反应中采用不同的HF溶液的浓度、电流密度和反应时间来控制多孔硅的膜厚、孔隙度等特性.有效地减少了多孔硅的龟裂失效,得到的多孔硅最大膜厚为72μm.并测量了多孔硅的生长速率与表面形貌.

关键词： 多孔硅 射频电路 多孔厚膜 高阻隔离层 电路性能 高频损耗

作者: 陈忠民 刘泽文 刘理天 李志坚

作者单位: 清华大学微电子学研究所,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国微米/纳米第六届学术年会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 101-103

在线出版日期: 2003-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）