ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究

摘要：

在高密度反应离子刻蚀技术中,存在明显的线宽损失,对小尺寸MEMS结构影响很大,将使MEMS器件灵敏度下降,稳定性降低.本文介绍了一种减小线宽损失的新工艺技术,在初始阶段的刻蚀步骤中加入剂量逐渐递减的钝化气体C4F8,同时适当减小循环周期的刻蚀时间,使线宽损失由原来常规刻蚀工艺中的155nm减少到55nm.此项技术已经应用于MEMS陀螺的制造工艺中,取得了很好的结果.

关键词： 微机电系统 硅深槽刻蚀 线宽控制 离子刻蚀 反应离子 钝化气体

作者: 王成伟 闫桂珍 朱泳

作者单位: 北京大学微电子学研究院,北京,100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国微米/纳米第六届学术年会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 104-107

在线出版日期: 2003-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）