高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究
体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连.由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容,所以形成高深宽比的深隔离槽(宽约3 μm,深20～100 μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题.本文采用MEMS微加工的DRIE(Deep Reactive Ion Etching)技术、热氧化技术和多晶硅填充技术,形成了高深宽比的深电隔离槽(宽3.6 μm,深85 μm).还提出了一种改变深槽形状的方法,使深槽的开口变大,以利于多晶硅的填充,避免了空洞的产生.
微机电系统 电隔离 深反应离子刻蚀 体硅集成 多晶硅
朱泳 闫桂珍 王成伟 王阳元
北京大学微电子学研究院,北京,100871
国内会议
太原
中文
113-115
2003-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）